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真为太赫兹可为客户提供高质量的实验芯片定制服务,可以根据您提出的功能需求进行结构和工艺设计,在和您确认后,将快速高质量的完成芯片和微纳结构的制备工作。

可订制的实验芯片种类包括:GaN、GaAs、InP、石英电路芯片等,特征尺寸为1.5μm;

可实现的制备工艺包括:光刻、反应离子刻蚀、金属蒸镀、PECVD生长氮化硅和氧化硅,ICP等等;

可沉积金属包括:Ti、Al、Ni、Au、Ge、Pt、Zn,厚度从5nm-2000nm;

可生长化合物包括:Si3N4、SiO2、Al2O3等;

实施时间:从设计、画图、制备到交付产品,总共耗时20个工作日。

公司是具有化合物半导体(GaAs、GaN、SiC等)芯片、石英电路基片、薄膜电路专业加工的企业,具有光刻、金属化、ICP、RIE、PECVD、减薄、划片等完善的微电子工艺加工平台和测试平台。主要面向科研院所提供化合物半导体、石英基板芯片和电路的全套解决方案。

 


 

微纳特色加工工艺

(一)化合物半导体器件及集成电路加工

公司具有国际先进的接触光刻、投影光刻、电子束直写、金属化、ICP、RIE、PECVD、划片等完善的微电子工艺加工平台和测试平台。可以根据用户的需求进行射频器件结构设计、工艺流程设计以及工艺加工和测试。 

化合物半导体器件设计与研发

可根据客户需求,进行化合物半导体(GaAs、GaN、SiC等)高电子迁移率晶体管(HEMT)、共振隧穿二极管(RTD)、肖特基二极管(SBD)以及其他功能芯片的研发。








(二)MEMS器件加工

公司具有国际先进、完善的硅基MEMS工艺平台和测试平台。可实现硅基MEMS关键加工技术和成套工艺、先进MEMS材料加工工艺、MEMS设计、射频MEMS器件及系统、光学MEMS器件等。 

硅基MEMS器件设计与研发

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